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IRLML5103TRPBF中文资料

IRLML5103TRPBF图片

IRLML5103TRPBF外观图

  • 大小:193.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: P CH MOSFET, -30V, 760mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-760mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:760mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 600mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:75pF @ 25V
  • 功率 - 最大:540mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLML5103PBFTR

IRLML5103TRPBF供应商

更新时间:2023-01-01 22:52:41
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